SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 협력 업체 부사장에게 실형이 확정됐다.

대법원 제1부(주심 신숙희 대법관)는 12일 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반·부정경쟁방지법 위반(영업비밀 국외 누설 등) 등 혐의로 기소된 무진전자 부사장 A씨 사건에서 징역 1년 6개월을 선고한 원심판결을 확정했다.

앞서 지난해 10월 2심 재판부는 1심(징역 1년)보다 형량을 늘려 1년 6개월을 선고했다. 무진전자가 SK하이닉스와 공동으로 개발한 세정 장비 관련 기술 정보를 다른 업체에 누설한 혐의가 1심에선 인정되지 않았지만, 2심 재판부는 유죄로 판단했다. 1심은 해당 기술이 SK하이닉스와 무진전자의 공동 소유물인 만큼 대외 공표만 금지된다고 봤다. 그러나 2심은 “해당 산업기술은 비밀 유지 대상이고, SK하이닉스의 사전 동의 없이 이를 유출한 것은 범죄”라고 짚었다.

대법은 “원심 판단에 논리와 경험의 법칙을 위반해 자유심증주의의 한계를 벗어나거나 산업기술보호법에서 정한 국가 핵심기술 및 첨단기술, 공모공동정범과 압수수색 절차의 적법성 및 증거능력, 부정경쟁방지법에서 정한 영업비밀 등에 관한 법리를 오해한 잘못이 없다”며 양측의 상고를 모두 기각했다.

A씨는 SK하이닉스에 반도체 세정 장비를 납품하면서 알게 된 사양 정보와 세정 공정 양산 레시피, 하이케이메탈게이트(HKMG) 반도체 제조 기술 등을 2018년께부터 중국의 경쟁 업체로 빼돌린 혐의를 받는다. HKMG는 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, D램 반도체의 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 신기술이다.

삼성전자 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 세메스의 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정 장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 혐의도 함께 적용됐다.

A씨와 함께 기소된 무진전자 연구소장 등 직원 3명도 징역 1년~1년 6개월의 실형을 확정받았다. 1심에서 무죄 판결이 나왔던 직원 1명에게도 징역 8개월의 실형이 내려졌다. 행위자와 법인을 함께 처벌하는 양벌규정에 따라 기소된 협력사 법인에도 벌금 10억원이 확정됐다.

반도체 세정 장비 전문 기업인 무진전자는 1994년 설립돼 오랜 기간 SK하이닉스와 거래해 왔다. 기술 유출 사건이 터진 이후 코스닥 상장사 엘티씨가 2022년 자회사 엘에스이를 통해 반도체 세정 장비 관련 사업을 전부 양수했다.

장서우 기자 [email protected]